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大功率LED散熱的改善設(shè)計(jì)剖析

發(fā)布時(shí)間:2011-04-29

中心議題:
  • 大功率LED散熱的理論模型
  • 分析各種因素對(duì)于散熱能力的影響
解決方案:
  • 熱輻射系數(shù)對(duì)LED散熱的影響
  • 熱導(dǎo)率對(duì)LED的散熱的影響
  • 增加散熱面積對(duì)LED散熱的影響
  • 對(duì)流方式對(duì)LED散熱的影響

目前,很多功率型LED的驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到70mA、100mA甚至1A,這將會(huì)引起芯片內(nèi)部熱量聚集,導(dǎo)致發(fā)光波長(zhǎng)漂移、出光效率下降、熒光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問(wèn)題。業(yè)內(nèi)已經(jīng)對(duì)大功率LED的散熱問(wèn)題作出了很多的努力:通過(guò)對(duì)芯片外延結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì),使用表面粗化技術(shù)等提高芯片內(nèi)外量子效率,減少無(wú)輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩,從根本上減少散熱組件負(fù)荷;通過(guò)優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)、材料,選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MCPCB),使用陶瓷、復(fù)合金屬基板等方法,加快熱量從外延層向散熱基板散發(fā)。多數(shù)廠家還建議在高性能要求場(chǎng)合中使用散熱片,依靠強(qiáng)對(duì)流散熱等方法促進(jìn)大功率LED散熱。

盡管如此,單個(gè)LED產(chǎn)品目前也僅處于1~10W級(jí)的水平,散熱能力仍亟待提高。相當(dāng)多的研究將精力集中于尋找高熱導(dǎo)率熱沉與封裝材料,然而當(dāng)LED功率達(dá)到lOW以上時(shí),這種關(guān)注遇到了相當(dāng)大的阻力。即使施加了風(fēng)冷強(qiáng)對(duì)流方式,犧牲了成本優(yōu)勢(shì),也未能獲得令人滿意的變化。

討論在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)、LED封裝及熱沉材料熱導(dǎo)率等因素變化對(duì)于其最大功率的影響,尋找影響LED散熱的關(guān)鍵因素。研究方法為有限元熱分析法.該方法已有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了LED有限元模型與其真實(shí)器件之間的差別,證明其在誤差許可范圍內(nèi)是準(zhǔn)確可行的。

建立模型

1有限元熱分析理論


三維直角坐標(biāo)系中的瞬態(tài)溫度場(chǎng)場(chǎng)變量T(x,y,z,t)滿足:


式中:T/x,T/y,T/z為沿x,y,z方向的溫度梯度;λxx,λyy,λzz為熱導(dǎo)率;q0為單位體積的熱生成;ρc是密度與比熱容的乘積:dT/dt為溫度隨時(shí)間的變化率。

式中:Vx,Vy,Vz為媒介傳導(dǎo)速率。
對(duì)于穩(wěn)態(tài)熱分析而言,T/t=0,式(1)可化簡(jiǎn)為:


根據(jù)式(3)、邊界條件與初始條件,利用迭代法或者消去法求解,得出熱分析結(jié)果。

2幾何模型的建立

圖1為依據(jù)常見(jiàn)1w大功率LED尺寸建立并簡(jiǎn)化、海鷗翼封裝鋁熱沉的大功率LED圖形,底座接在MCPCB鋁基板上。主要數(shù)據(jù):芯片尺寸為1mm×1mm×O.25mm,透鏡為直徑是13mm的半球。硅襯底為邊長(zhǎng)17mm,高0.25mm的正六棱柱,MCPCB為直徑20mm,高1.75mm的六角星形鋁質(zhì)基板。


3有限元模型的建立

模型采用ANSYSl0.0計(jì)算,為方便分析,假設(shè)模型:

LED輸入功率為1W,光效率取10%;封裝體外部的各組件(包括MCPCB、陶瓷封裝、熱沉的外部)通過(guò)與空氣的對(duì)流散熱;器件與外界的熱對(duì)流系數(shù)為20。工作環(huán)境溫度為25℃;器件滿足使用ANSYS軟件進(jìn)行穩(wěn)態(tài)有限元熱分析的條件;最大結(jié)溫選擇為125℃。各種材料的參數(shù)如表1所示。

[page]
分析各種因素對(duì)于散熱能力的影響

1熱輻射系數(shù)對(duì)LED散熱的影響

圖2為表面黑度為0.8時(shí)的溫度云圖。根據(jù)斯蒂芬-玻耳茲曼定律,輻照度j*與溫度T之間的關(guān)系:j*=εσT4。其中ε為黑體的輻射系數(shù);σ=5.67×10-8w/(m2•k4),稱為斯蒂芬-玻耳茲曼常數(shù)。因此可知,溫度越高,輻照度越大。當(dāng)輸入功率為1W時(shí),經(jīng)由表面輻射散出的熱能為7.63×10-4W,僅占總熱功率的1.63‰;功率達(dá)到2W時(shí),經(jīng)輻射散出的熱能也僅占6.33‰。因此改變熱輻射系數(shù)對(duì)于提高散熱能力改善成效不大,散熱的關(guān)鍵在于提高另外兩種散熱方式:熱傳遞和熱對(duì)流。盡管如此,仍有一些廠家將LED器件的外表面涂成黑色,以期最大限度地利用輻射散熱。


2熱導(dǎo)率對(duì)LED的散熱的影響

只考慮熱傳導(dǎo)與對(duì)流,改變不同封裝填充材料如硅樹(shù)脂.得出結(jié)果,如圖3所示。即使找到一種熱導(dǎo)率高達(dá)7Wm-1K-1的環(huán)氧樹(shù)脂成分封裝材料時(shí),相比使用熱導(dǎo)率為0.25Wm-1K-1的環(huán)氧樹(shù)脂成分封裝材料時(shí),芯片溫度下降不多,鋁基板溫度只下降了2.271℃,最大功率僅提高了0.69W。實(shí)際上,熱導(dǎo)率值超過(guò)7Wm-1K-1以上、可商業(yè)化的透明硅樹(shù)脂封裝材料目前尚無(wú)文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)。分布云圖如圖4所示。


表2給出透鏡熱導(dǎo)率為0.2Wm-1K-1時(shí),不同熱沉材料的導(dǎo)熱系數(shù)對(duì)于LED最大功率影響。由表2看出,熱沉材料對(duì)于LED的最大散熱能力的影響很小。[page]

綜上所述,熱導(dǎo)率變化對(duì)LED最大功率影響微弱。

3增加散熱面積對(duì)LED散熱的影響


表3為3種不同散熱方式對(duì)LED的溫度分布、最大功率的影響。可以看出,增加散熱面積是很好的散熱方式,可以輕易地提高LED器件散熱能力,這是目前LED產(chǎn)品所普遍使用的散熱方式之一。然而缺點(diǎn)也很明顯:影響成本、增加產(chǎn)品重量、影響封裝密度。無(wú)限度地提高LED散熱片面積顯然不現(xiàn)實(shí),因此一般使用1.5inch2散熱片提升LED產(chǎn)品最大功率至10W左右,出于成本等因素就不能繼續(xù)提高。



4對(duì)流方式對(duì)LED散熱的影響

常見(jiàn)對(duì)流散熱方式有兩種:自然對(duì)流和強(qiáng)制對(duì)流。固定結(jié)構(gòu)的散熱與表面?zhèn)鳠嵯禂?shù)有關(guān)。空冷方式時(shí),不同傳熱系數(shù)對(duì)最大功率的影響如圖5所示。強(qiáng)對(duì)流方式在一定速度內(nèi)會(huì)大大提高LED產(chǎn)品的散熱能力,有助于提高散熱效果。


綜上所述,無(wú)論是增加散熱面積還是增加對(duì)流速度都不能無(wú)限制地提高散熱能力,其原因在于:當(dāng)散熱結(jié)構(gòu)、方式固定后,即使LED導(dǎo)熱率有所上升,也無(wú)法真正大幅度降低芯片溫度;事實(shí)證明增加散熱面積,可以促進(jìn)散熱。但由于成本限制,且不可能無(wú)限制地增加散熱面積,因此,要提升LED產(chǎn)品的散熱能力,關(guān)鍵要在最大努力增加散熱面積時(shí),尋找一種可以快速將上表面熱量帶走的散熱方式。

利用ANSYS軟件對(duì)大功率LED進(jìn)行三維有限元熱分析,并繪制了其受不同因素影響時(shí)器件的溫度云圖,通過(guò)比較各種因素對(duì)散熱性能的影響,得出結(jié)論:在經(jīng)過(guò)必要的選材優(yōu)化后,對(duì)于材料熱導(dǎo)率的追求只是對(duì)提高LED散熱能力細(xì)枝末節(jié)地修改,想要大幅度地提高LED的散熱能力,關(guān)鍵是增加散熱面積與改變散熱方式。
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