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低壓大電流DC- DC變換器設(shè)計

發(fā)布時間:2012-10-29 責(zé)任編輯:Lynnjiao

【導(dǎo)讀】近年來, 隨著計算機(jī)微處理器的輸入電壓要求越來越低, 低壓大電流DC - DC 變換器的研究得到了許多研究者的重視, 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)層出不窮。一種交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器, 它的一次側(cè)采用對稱半橋結(jié)構(gòu), 而二次側(cè)采用倍流整流結(jié)構(gòu)。可以極大地減小濾波電容上的電流紋波和濾波電感的大小與整個DC - DC 變換器的尺寸。

倍流整流的低壓大電流DC - DC變換器的結(jié)構(gòu)分析

倍流整流低壓大電流DC-DC 變換器的電路原理圖如圖1 所示, 一次側(cè)采用對稱半橋結(jié)構(gòu), 二次側(cè)采用倍流整流結(jié)構(gòu), 在S1 導(dǎo)通時SR1 必須截止, L1 充電; 在S2 導(dǎo)通時SR2 必須截止, L2 充電,這樣濾波電感電流就會在濾波電容上移項(xiàng)疊加。圖2 給出了開關(guān)控制策略。

倍流整流的低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖
圖1:倍流整流的低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖

開關(guān)的控制策略
圖2:開關(guān)的控制策略

通過以上分析可以看出,倍流整流結(jié)構(gòu)的二次側(cè)2 個濾波電感電流在濾波電容上相互疊加, 從而使得輸出電流紋波變得相當(dāng)小。

結(jié)構(gòu)中的同步整流器均按外加信號驅(qū)動處理,使控制變得很復(fù)雜,但在這種半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用簡單的自驅(qū)動方式很困難,因?yàn)椋谶@種結(jié)構(gòu)中,如果直接從電路中取合適的點(diǎn)作為同步整流器的驅(qū)動信號, 在死區(qū)時間內(nèi)當(dāng)這個驅(qū)動信號為零時, 同步整流器就會截止。為了在半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用自驅(qū)動方式,就必須使用到輔助繞組。

以單個半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為例,見圖3 ,VSEC為變壓器的二次側(cè)電壓,Vgs為由輔助繞組獲得的同步整流器的驅(qū)動電壓,可以看出即使在死區(qū)的時間內(nèi),同步整流器的驅(qū)動電壓也不可能為零,保證了自驅(qū)動方式在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的應(yīng)用。

自驅(qū)動同步整流器電路及波形圖
圖3:自驅(qū)動同步整流器電路及波形圖

另外, 由于在大電流的情況下MOSFET 導(dǎo)通壓降將增大,從而產(chǎn)生較大的導(dǎo)通損耗,為此應(yīng)采用多個MOSFET 并聯(lián)方法來減小損耗。

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交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器

電路原理圖

綜上所述,倍流整流低壓大電流DC - DC 變換器具有很好的性能,在此基礎(chǔ)上引入交錯并聯(lián)技術(shù),構(gòu)成一種新的結(jié)構(gòu),稱為并聯(lián)低壓大電流DC - DC變換器,可以進(jìn)一步減小輸出電流紋波。

圖4 為交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器的電路原理圖(以最簡單的2 個倍流整流交錯并聯(lián)為例)。

交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖
圖4:交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖

變換器的開關(guān)控制策略

交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器的開關(guān)控制策略見圖5。

交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的開關(guān)控制策略
圖5:交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的開關(guān)控制策略

交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器性能

首先這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)最大的優(yōu)點(diǎn)是變壓器原邊的結(jié)構(gòu)簡化, 控制變得很簡單。其次, 這種方法的實(shí)現(xiàn)必須采用同步整流電路, 因?yàn)榻诲e并聯(lián)電路的實(shí)現(xiàn)要求變壓器副邊上下電位輪流為正, 在一個時間段內(nèi)有且只有一個為正電位, 其余都為零電位。但在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中, 由于2 個變壓器的原邊串聯(lián)在一起, 而副邊是并聯(lián)的, 這樣如果用肖特基二極管作整流器, 那么輸入電壓將在2 個變壓器原邊上分壓, 而肖特基二極管又沒有選通的功能, 這樣變壓器二次側(cè)的波形將是完全對稱的, 上下2 個整流電路的電流完全重合, 達(dá)不到電流交錯并聯(lián)的目的。

這樣, 應(yīng)用同步整流器來完成這個功能, 同時利用MOSFET 的雙向?qū)щ娞匦裕?因?yàn)橥秸鞴艿穆┰措娏魇欠植荚谧鴺?biāo)橫軸兩側(cè)的。這種結(jié)構(gòu)的過程詳細(xì)分析如下:

1) S1 導(dǎo)通, S2 截止; S3 截止, S4 , S5 , S6 均導(dǎo)通。由于S4 , S5 , S6 的導(dǎo)通, 第一變壓器副邊繞組下端為零電位,第二變壓器副邊繞組上、下端均為零電位,電感L1 上電流上升, L2 , L3 , L4 上電流下降。

 

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2) S2 導(dǎo)通, S1 截止; S4 截止, S3 , S5 , S6 均導(dǎo)通。由于S3 , S5 , S6 的導(dǎo)通, 第一變壓器副邊繞組上端為零電位,第二變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L2 上電流上升, L1 , L3 , L4 上電流下降。

 

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3) S1 導(dǎo)通, S2 截止; S5 截止, S3 , S4 , S6 均導(dǎo)通。由于S3 , S4 , S6 的導(dǎo)通, 第二變壓器副邊繞組下端為零電位,第一變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L3 上電流上升, L1 , L2 , L4 上電流下降。

 

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4) S2 導(dǎo)通, S1 截止; S6 截止, S3 , S4 , S5 均導(dǎo)通。由于S3 , S4 , S5 的導(dǎo)通, 第二變壓器副邊繞組上端為零電位,第一變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L4 上電流上升, L1 , L2 , L3 上電流下降。

 

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以上各式均忽略整流器的電壓降, 且V SEC為變壓器二次側(cè)的電壓值。

根據(jù)以上分析可知, 應(yīng)用同步整流器, 通過變壓器原邊串聯(lián)而副邊并聯(lián)的方法, 可以實(shí)現(xiàn)這種交錯并聯(lián)半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾個方面:

1) 有效地簡化了拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略。

2) 在頻率保持不變的情況下, 如果紋波的峰- 峰值一定, 則這種結(jié)構(gòu)可以有效減小濾波電感的值, 從而加快整個變換器的動態(tài)響應(yīng)時間。

3) 交錯并聯(lián)的半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與非交錯并聯(lián)的半橋- 倍流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相比, 一次側(cè)和二次側(cè)的導(dǎo)通損耗相差不多, 但由于采用交錯并聯(lián)技術(shù),二次側(cè)的開關(guān)頻率是原來的一半, 相應(yīng)的開關(guān)損耗也是原來的一半。由于變換器的開關(guān)損耗在整個損耗統(tǒng)計中占很大的比例, 因此, 交錯并聯(lián)技術(shù)可以極大地提高變換器的效率。

仿真分析

應(yīng)用Pspice 軟件對電路進(jìn)行仿真。電路的參數(shù)如下: 開關(guān)頻率為100 kHz , 占空比為40 % ,輸入電壓為48 V , 濾波電感為2μH , 濾波電容為820μF , 輸出電流為60 A , 輸出電壓為1125 V。

圖6 所示為濾波電感的電流波形, 從圖6 可以看出, 4 個濾波電感的電流輪流充電, 如果一個濾波電感在充電, 其余3 個電感必須在放電, 在死區(qū)時間內(nèi), 4 個濾波電感都在放電。

圖7 和圖8 所示分別為交錯并聯(lián)變換器與單個倍流整流變換器結(jié)構(gòu)的輸出電流紋波波形, 從圖7中可以看出, 4 個濾波電感的電流在濾波電容上疊加, 可以把電流的紋波減小很多。

濾波電感電流波形
圖6:濾波電感電流波形

交錯并聯(lián)變換器結(jié)構(gòu)的輸出電流紋波波形
圖7:交錯并聯(lián)變換器結(jié)構(gòu)的輸出電流紋波波形

單個倍流整流變換器結(jié)構(gòu)的輸出電流紋波波形
圖8:單個倍流整流變換器結(jié)構(gòu)的輸出電流紋波波形

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

通過理論研究及仿真分析, 可以看出, 交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器具有良好的性能,在輸出為1125 V/ 60 A 的情況下, 輸出電流紋波可以降到很小。為了進(jìn)一步說明這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可行性, 用實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)電路見圖4 , 實(shí)驗(yàn)參數(shù)和仿真相同, 最后得到如圖9 所示的實(shí)驗(yàn)波形。圖9 中, V gs為一次側(cè)一個MOSFET 的門極驅(qū)動電壓波形, V ds則為相應(yīng)的MOSFET 的柵源電壓波形,從圖9 可以看出, 實(shí)驗(yàn)結(jié)果所得波形同圖5 的理論分析結(jié)果十分吻合, 所提出的方法是可行的。其中, 變壓器選用R2 KB 軟磁鐵氧體材料制作的GU22 磁心, 原副邊的匝數(shù)分別為8 匝和1 匝; 電感選用寬恒導(dǎo)磁材料IJ 50h 制作的環(huán)形鐵心T5 - 10 - 215 ,匝數(shù)為8 匝。

實(shí)驗(yàn)波形
圖9:實(shí)驗(yàn)波形

結(jié)語

通過仿真及實(shí)驗(yàn)分析, 得出以下結(jié)論: 對于低壓大電流DC - DC 變換器, 可以通過交錯并聯(lián)的方法, 進(jìn)一步減小輸出電流紋波, 效果十分明顯;或者在同樣輸出電流紋波情況下, 可以極大地減小濾波電感值, 從而減小整個變換器的尺寸, 提高變換器的瞬態(tài)響應(yīng)特性。所討論的2 個倍流整流結(jié)構(gòu)交錯并聯(lián)案例同樣適應(yīng)于多個倍流整流結(jié)構(gòu)交錯并聯(lián)的情況。

 

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