- 950V的擊穿電壓級別
- 可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路
- 能夠承受高于擊穿電壓的電涌
- 額定雪崩電流為9A
- 導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下
- 液晶顯示器
- 電視機
- 節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品
日前，意法半導體推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，電能損耗更低，特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。
STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產(chǎn)品，此一新級別的產(chǎn)品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產(chǎn)品相比，意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大，可靠性更高。高壓電源設計人員還可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路，從而簡化電路設計，縮減尺寸，減少元器件數(shù)量。
此外，STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產(chǎn)品，這個優(yōu)勢可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌，因為過高的浪涌電流會燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A，而實力最接近的競爭品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A。
除更強的耐高壓能力外，STx7N95K3系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，設計人員
可以提高功率密度及能效。
同時，因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容，這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。
STx7N95K3 MOSFET實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代SuperMESH3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝。STF7N95K3采用 TO-220FP封裝；STP7N95K3采用標準的TO-220封裝；STW7N95K3采用TO-247封裝。
隨后將推出的新產(chǎn)品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850V、950V、1050V和1200V系列產(chǎn)品。
STx7N95K3系列已投產(chǎn)。
