- 高達96%的能效
- 采用TO封裝的高能效1200V器件
- 電子設備和機器
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創新產品和解決方案生動地詮釋了大會的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產品和解決方案可確保大幅降低電子設備和機器的能耗。
國際能源機構（IEA）預計，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經過遠距離輸送，這個過程往往會損耗大量電力。巧妙地利用功率半導體，能夠最大限度地降低發電、輸配電和電源轉換等環節的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節能芯片還可以大大提高電子設備和機器的能效，以確保最大限度地節省能源。隨著全球人口數量不斷增長，節能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領先的功率半導體供應商，英飛凌通過提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻。諸如電視機、計算機、電源裝置、游戲機、服務器、電機和機器等各類電子和電氣設備紛紛使用了英飛凌的節能芯片。
英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業務部總經理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節能半導體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產品的節能效果甚至超過了國際能效標準，因而能為我們的客戶帶來明顯的競爭優勢。”
英飛凌在PCIM Europe 2011展會上展出的電源管理產品和解決方案一覽：
最新RC-D快速IGBT以很高的開關頻率實現了最高達96%的能效，同時縮小變頻器的尺寸并降低其成本
英飛凌的逆導型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設計出更高能效的電機驅動家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統更低。
英飛凌最新推出市場領先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產品，可將諸如服務器、太陽能設備、電信機房開關電源和照明裝置等設備的能效提升至新的高度
英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實現了又一項創新，設立了能源效率的新標準。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產品的競爭優勢。
英飛凌為實現高能效電源轉換設計助一臂之力：中壓系列OptiMOS™進一步完善CanPAK™產品陣容
英飛凌新推出的60V至150V CanPAK™，進一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET產品陣容。利用該產品，電源系統工程師可以優化設計，實現更高能效和卓越的散熱性能，同時最大限度地縮小占板空間。較之于標準分立式封裝，CanPAK™金屬“罐”結構有助于實現雙面散熱，并且幾乎不會產生封裝寄生電感。CanPAK™的優勢與OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™產品可在整個電壓范圍內實現行業最低的RDS(on)和Qg 。對于諸如面向電信應用的隔離式DC-DC電源轉換器，以及太陽能微型逆變器和太陽能系統中使用的MPP追蹤器等快速開關應用而言，很低的柵極電荷（Qg）意味著最低的開關損耗。而對于諸如電機控制等高電流應用場合，英飛凌CanPAK™產品具備業界最低的RDS(on)，可以實現最低的功率損耗。
碳化硅肖特基二極管thinQ!™——采用TO封裝的高能效1200V器件
隨著時間的推移，英飛凌推出的第二代碳化硅肖特基二極管，已經成為不成文的行業標準。現在，英飛凌進一步擴充了這個本已十分廣博的產品組合，推出了采用新的TO-247HC（長爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。
這種新的封裝完全兼容行業標準TO-247，因而可輕松用于現有的設計，而無需付出額外的努力。更長爬電距離，可提高系統安全性，有效防止系統內部的灰塵或污垢導致的短路，特別是電弧。這樣，就不需要使用額外的化學（硅膠或硅霜）或機械（護套或箔）手段來避免封裝引線之間存在任何污染，從而充分發揮快速的精益生產工藝的所有優勢。碳化硅肖特基二極管thinQ™系列的目標應用包括太陽能系統、UPS、SMPS和電機逆變器等，可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。
全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET
英飛凌以提供適用于汽車（AEC Q101）的品質優異的小信號MOSFET而聞名于世。現在，新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進一步豐富了這個產品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出類拔萃的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現更好的輕載效率。這種產品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調節省空間、降低功耗的應用。目標應用包括，作為低功率DC/DC電源轉換器的外接FET、在用于電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊（BECM）中發揮平衡作用，以及用作多種微控制器的外接FET。
