- 無引線封裝
- 超過93％的效率
- 系統效率改善3.5%到7%
- 系統尺寸縮小40％
- 括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器
GaNpowIR是IR基于氮化鎵 (GaN)的革命性功率器件技術平臺。與最先進的硅技術平臺相比，能夠改善客戶主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍，可以顯著提高性能并節省能源消耗，包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。
GaN技術平臺開創行業先河，是IR研發部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質外延技術，經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010年3月5日，國際整流器公司（IR）在深圳會展中心舉行新品發布媒體見面會。會上，IR公司環球市場及企業傳信副總裁Graham Robertson先生為我們詳細介紹了行業首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011的功能、特性及目標應用。電子元件技術網記者應邀出席了此次會議。
iP2010和iP2011系列器件為多相和負載點 (POL) 應用而設計，應用目標領域包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。 它是將PowerRtune驅動IC和氮化鉀功率器件集成在一起，采用了無引線封裝，可以滿足最高效率和功率密度需求。
國際整流器公司環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson在新品發布會上指出，“與業內最好的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件在600KHz工作頻率時有超過93％的效率！在1.2MHz工作頻率時也有91％的效率！”
IR環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson先生
這個采用氮化鉀材料的新器件可以將系統的效率改善3.5%到7%，采用簡單的熱控制即可達到節能效果，在目前綠色節能的大趨勢下可以發揮重要作用。在改善功率器件的優值系數方面，這個氮化鎵 (GaN) 功率器件也表現突出，如下圖所示。
改善功率器件的優值系數，Si SiC GaN對比
據介紹，GaN器件可以將應用的優值系數提高10倍！而且可以將開關電源的頻率從KHz提升到MHz級別，所以可以將電源系統的效率提升很多。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，與分立方案相比，其系統尺寸縮小40％！，與業界最好的DrMOS器件相比，其系統方案電路板空間尺寸縮小35％以上，而且其所需的外圍器件也相比這兩個方案少很多，iP201x系列高達5MHz的開關能力有助于設計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實現空間緊張的設計。由此可以解降低應用成本。這些器件還能夠使要求最高效率的應用設定在較低的開關頻率下運行。”
采用分立器件，GaNpowIR技術，DrMOS方案功率密度比較
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經過優化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細小占位面積的LGA（無引線封裝），為極低的功率損耗作出了優化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
iP2010產品規格
iP2011產品規格
