雖然是單芯片產(chǎn)品，但發(fā)熱量更低，與以往產(chǎn)品相比，供電時的溫升可降低約75%，縮減貼裝面積的同時實現(xiàn)了低發(fā)熱。不僅如此，搭載了業(yè)界首創(chuàng)的位置偏差檢測功能，可檢測位置偏差時的充電效率下降情況，因此，有助于提高設(shè)備的工作效率。
本產(chǎn)品計劃于2013年11月開始出售樣品（樣品價格500日元），于2014年2月開始暫以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本浜松市），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）。
在移動設(shè)備市場，無線供電技術(shù)在為終端充電時無需使用電源線，有望提高設(shè)備連接器的防水及防塵性能，1個供電裝置即可支持多種終端，因而備受關(guān)注。
但是，該技術(shù)卻面臨一個巨大的課題，即通過無線收發(fā)智能手機(jī)等5W級別的電力時會嚴(yán)重發(fā)熱。
特點
1.單芯片，低發(fā)熱
采用最先進(jìn)的BiC-DMOS工藝，成功將MOSFET的導(dǎo)通電阻降到最低，雖為單芯片，發(fā)熱量卻更低，實現(xiàn)縮減貼裝面積與低發(fā)熱兩者兼得。與以往產(chǎn)品相比，供電時的溫升程度可降低約75%。
2.搭載業(yè)界首創(chuàng)的位置偏差檢測功能，充電效率更高
給終端充電時，如果不將終端設(shè)備置于供電裝置的中央，充電效率就會顯著下降。位置偏差檢測功能對于終端的位置偏差，可發(fā)出警報提示，有助于進(jìn)一步提高充電效率。
WPC Qi標(biāo)準(zhǔn) Low Power Ver1.1
最新的WPC Qi標(biāo)準(zhǔn)Low Power Ver1.1作為無線供電的國際標(biāo)準(zhǔn)于2012年4月制定完成。
與2010年最初制定的Low Power Ver1.0的不同之處在于，Ver1.1更關(guān)注安全性能的提升，新增了搭載FOD（異物檢測功能）的義務(wù)要求。
ROHM已加盟成為最多由25家組成的WPC的正式成員，從日益普及的無線供電標(biāo)準(zhǔn)“Qi”的制定階段就開始積極參與協(xié)商制定。
以極高安全性著稱的FOD（Foreign Object Detection /異物檢測功能）
FOD是最新的Qi標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的有義務(wù)搭載的項目，金屬物體存在于收發(fā)器之間時，金屬發(fā)熱可能導(dǎo)致機(jī)殼變形或燒傷，搭載FOD可防患于未然，使設(shè)備安全性能顯著提高。
要想實現(xiàn)FOD，需要發(fā)送側(cè)與接收側(cè)復(fù)雜的對接技術(shù)，ROHM通過融合本公司的模擬技術(shù)與集團(tuán)公司LAPIS Semiconductor的數(shù)字技術(shù)，使FOD得以實現(xiàn)。
實際上，接收側(cè)進(jìn)行功率損耗計算時，可通過外置電阻設(shè)定每個接收單元不同損耗誤差的微調(diào)量，因此，實現(xiàn)了極具靈活性且高精度的FOD。
＜Qi標(biāo)準(zhǔn)的普及和開發(fā)路線圖＞
隨著無線供電市場的增長，Qi標(biāo)準(zhǔn)所支持的功率范圍也日趨增大。
針對Qi標(biāo)準(zhǔn)的日益普及，ROHM計劃充分發(fā)揮所擁有的集團(tuán)內(nèi)部的無線供電所必需的核心技術(shù)，進(jìn)行數(shù)據(jù)發(fā)送用控制IC與市場日益增長的Medium Power（5W～）產(chǎn)品的開發(fā)。
支持Medium Power的無線供電用IC將于深圳會展中心舉行的“第十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會（ELEXCON2013）”ROHM展區(qū)展出（展位號：2號館2B62）。歡迎蒞臨！
WPC（Wireless Power Consortium）
為制定與普及電子設(shè)備的無線供電技術(shù)相關(guān)的國際標(biāo)準(zhǔn) “Qi”而設(shè)立的行業(yè)團(tuán)體。
Qi標(biāo)準(zhǔn)
WPC提倡的正在日益普及的無線供電標(biāo)準(zhǔn)。目前，面向智能手機(jī)等小型移動設(shè)備的Low Power（～5W）標(biāo)準(zhǔn)為主要標(biāo)準(zhǔn)，為滿足日益增長的市場需求，現(xiàn)正著力制定Medium Power（5W～）標(biāo)準(zhǔn)。
導(dǎo)通電阻
MOSFET工作時（通電時）的電阻值。其值越小功率損耗越少。
