【導(dǎo)讀】功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：
1.減小導(dǎo)通損耗和動(dòng)態(tài)損耗
2.減小寄生電感，發(fā)揮芯片的開關(guān)速度
3.提高允許的最高工作結(jié)溫
4.降低結(jié)到殼的熱阻Rthjc
芯片技術(shù)的發(fā)展方向是降低導(dǎo)通損耗和動(dòng)態(tài)損耗。封裝的發(fā)展方向減小寄生電感，允許芯片快速開關(guān)而不震蕩；提高封裝工藝的可靠性，提高功率周次和溫度周次，就是說提高器件結(jié)溫的同時(shí)也要保證器件的壽命，同時(shí)要提高散熱能力，降低結(jié)到殼的熱阻Rthjc。
在式子中可以看出，技術(shù)的進(jìn)步提高了Tvj，降低了Rthjc，這樣就允許器件承受更大的損耗Vce*Ic，也就是說允許芯片上的發(fā)熱量更大。
下面做一個(gè)有趣的對比，與太陽比功率密度。
英飛凌出場的是明星產(chǎn)品：
EconoDUAL?3，F(xiàn)F900R12ME7_B11，
900A 1200V IGBT7。
FF900R12ME7_B11的功率密度
第一種工況：
求解FF900R12ME7_B11 IGBT模塊在管殼溫度80度下，芯片的功率密度。把上式變形一下：
900A 1200V芯片在管殼溫度為80度下，允許的功耗為1549瓦，如果在直流情況下，不考慮動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗，Ptot=Vcesat*Ic,由于飽和壓降典型值在1.7V，這時(shí)器件集電極電流（沒有開關(guān)損耗）為911A左右。
由于900A IGBT芯片面積大約為6cm2，得出功率密度為：2.6*10?W/m2，這時(shí)IGBT7的芯片功率密度比火柴火焰高一個(gè)數(shù)量級，比電熨斗功率密度高9個(gè)數(shù)量級！！！
第二種工況短路：
把IGBT接在900V直流母線上，進(jìn)行第一類短路實(shí)驗(yàn)。短路時(shí)母線電壓是900V，在8us內(nèi)，短路電流可達(dá)3200A以上，這時(shí)瞬時(shí)功率高達(dá)P=900V*3200A=2.88MW!!!
同理算出這時(shí)芯片的功率密度高達(dá)4.8*10? W/m2，這比太陽表面的功率密度5.0*10?W/m2還高2個(gè)數(shù)量級！！！
注：
1.一根火柴的質(zhì)量約為0.065g，木材的熱值約為1.2×107J/kg，假設(shè)火苗截面積100mm2，火柴15秒燒完。
2.人體運(yùn)動(dòng)發(fā)熱取中值200W，人體表面積按照許文生氏公式：體表面積（m2）=0.0061×身高（cm）+0.0128×體重(kg)-0.1529
IGBT的溫度
系統(tǒng)設(shè)計(jì)中IGBT的工作結(jié)溫普遍高于水的沸點(diǎn)100℃，設(shè)計(jì)目標(biāo)是150℃，瞬態(tài)高達(dá)175℃。在氫燃料電池的冷卻水泵中，驅(qū)動(dòng)器中IGBT的冷卻液溫可能是95度，在這樣惡劣工作條件下，也要滿足車輛的行駛公里數(shù)和使用年限，對IGBT的可靠性和壽命要求很高
高功率密度的挑戰(zhàn)
由于電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對功率半導(dǎo)體的工作溫度和功率密度要求非常高，這對于芯片工藝和封裝工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都是很大的挑戰(zhàn)。
焊接層
高溫和大幅的殼溫變化，會(huì)造成模塊焊接層的機(jī)械疲勞而分離，從而使得結(jié)到殼的熱阻Rthjc，增加，進(jìn)而失效。
綁定線
有了對比才知道IGBT芯片的功率密度如此之高，現(xiàn)在再來研究一下綁定線的設(shè)計(jì)規(guī)范和電流密度。
在模塊的數(shù)據(jù)手冊中有一個(gè)不太引人注目的參數(shù)，模塊引線電阻，即端子到芯片的電阻值RCC’+EE’，這阻值對于小電流模塊看起來損耗不算太大，但這時(shí)的綁定線的電流密度高達(dá)254A/mm2，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于家庭配電規(guī)范中銅線的電流密度6A/mm2。如果按照鋁線電流密度2.5A/mm設(shè)計(jì)900A模塊的引線就需要360mm2，這將是一個(gè)截面為60*60mm的鋁排。
如此高密度的電流反復(fù)流過綁定線，會(huì)造成綁定線機(jī)械應(yīng)力，使得綁定線開裂等機(jī)械損傷。
綁定線一頭是連接在IGBT芯片的金屬化層上，這是3.2um厚的AlSiCu材料，這連接點(diǎn)也是容易造成機(jī)械疲勞的薄弱環(huán)節(jié)，大的結(jié)溫變化會(huì)造成另一種失效機(jī)理是綁定線脫落。
IGC193T120T8RM 200A 1200V
芯片的數(shù)據(jù)手冊
封裝的效率
模塊引線電阻，即端子到芯片的電阻值RCC’+EE’，會(huì)造成的損耗，對于中大功率模塊是個(gè)不小的數(shù)值。
EconoDUAL?3 FF900R12ME7模塊引線電阻，端子到芯片的電阻值0.8mΩ，900A時(shí)壓降0.72V，功耗高達(dá)648W。
FF900R12ME7電流和引線損耗
如果選擇PrimePACK?封裝，其最大規(guī)格做到了2400A半橋，這樣的模塊引線電阻小很多，原因是端子采用銅排結(jié)構(gòu)。FF900R12IE4，900A 1200V模塊端子到芯片的電阻值0.3mΩ，900A時(shí)壓降0.27V，功耗僅243W，只有EconoDUAL?3 FF900R12ME7的38%。
所以選擇器件時(shí)，需要考慮不同封裝的特性，以滿足系統(tǒng)需求。
結(jié)論：
由此看來高功率密度帶來的主要問題是造成器件的機(jī)械疲勞，影響器件壽命，好在這些壽命機(jī)理是已知的，是可以用功率周次和溫度周次描述，器件和系統(tǒng)的壽命可以設(shè)計(jì)的。
為了在風(fēng)力發(fā)電，電動(dòng)汽車和機(jī)車牽引等負(fù)載變化大的應(yīng)用領(lǐng)域評估器件在系統(tǒng)中的壽命，這就需要進(jìn)一步了解器件的壽命機(jī)制和設(shè)計(jì)方法，英飛凌提供壽命仿真的收費(fèi)服務(wù)。
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