產(chǎn)品特性：
- 單N溝道MOSFET
- 較低的導(dǎo)通阻抗
- 低門電荷和低門電荷比
- 低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
- 符合RoHS指令要求，并采用無(wú)鉛封裝
應(yīng)用范圍：
- 直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器
- 電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。
這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOSFET，提供較低的導(dǎo)通阻抗(RDS(on))，將功率耗散降到最低。這些器件更提供低門電荷和低門電荷比，降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。所有這些性能特性，使電源子系統(tǒng)能效更高。
安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“這些新的中等電壓器件，壯大了安森美半導(dǎo)體優(yōu)異的、配合市場(chǎng)需要的功率MOSFET陣容。我們計(jì)劃持續(xù)推出針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的MOSFET解決方案，滿足我們消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用的擴(kuò)大客戶需求，強(qiáng)化安森美半導(dǎo)體高能效電源開(kāi)關(guān)解決方案供應(yīng)商的業(yè)界領(lǐng)先地位。”
器件
這些器件提供寬的規(guī)范點(diǎn)范圍，讓設(shè)計(jì)人員能夠靈活地選擇采用DPAK、D2PAK和TO-220封裝的最優(yōu)導(dǎo)通阻抗(RDS(on))和門電荷組合。
所有這些器件都符合RoHS指令要求，并采用無(wú)鉛封裝。
現(xiàn)已提供樣品和生產(chǎn)數(shù)量。根據(jù)不同器件，制造商建議零售價(jià)介于0.60美元至1.75美元之間。
