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EPCOS推出消費和工業電子應用表貼鋁電解電容器
愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器,其電容量范圍介于0.1μF至1500μF,適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費和工業電子領域,是鉭電容器的價格合適的替代品。
2008-08-01
鋁電解電容器
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S系列:Vishay改進的軍用級高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻,這些電阻在 -55°C~+125°C(+25°C 參考點)時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級
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MCT 0603 AT:Vishay高性能專業汽車薄膜貼片電阻
Vishay宣布推出采用 0603 封裝尺寸的業界首款專業汽車用薄膜貼片電阻,該電阻結合了高達 +175°C(1000 小時)的高工作溫度以及先進額定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻 汽車電子
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MCT 0603 AT:Vishay高性能專業汽車薄膜貼片電阻
Vishay宣布推出采用 0603 封裝尺寸的業界首款專業汽車用薄膜貼片電阻,該電阻結合了高達 +175°C(1000 小時)的高工作溫度以及先進額定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻 汽車電子
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VSA101:Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C~+60°C 以及 -55°C~+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR(“?R,由于自加熱”)、±0.005% 的容差,以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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VSA101:Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C~+60°C 以及 -55°C~+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR(“?R,由于自加熱”)、±0.005% 的容差,以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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STV250N55F3:意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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STV250N55F3:意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045:Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結溫高達 +175°C 的首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術,可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流,從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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