為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求，工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的 難題。然而，在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體 系統成本提高。
為幫助設計人員解決這些難題，飛兆半導體公司開發成功了非常適合功率轉換系統的碳化硅(SiC)技術解決方案，進而拓展了該公司在創新型高性能功率晶體管技術領域的領先地位。
圖1：飛兆SiC BJT是下一代功率器件技術
圖2：電源設計人員關于硅的困境
在飛兆半導體SiC組合中首先要發布的一批產品是先進的SiC雙極結型晶體管(BJT)系列，該系列產品可實現較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利 地進行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導體的SiC BJT實現了更高的開關頻率，這是因為傳導和開關損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統中實現高達40%的輸出功率提升。
這些強健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統總體成本降低多達20%。這些業界領先的SiC BJT性能出眾，可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區，將在高功率轉換應用的功率管理優化中發揮重大作用。
相關閱讀：
功率開關對電源效率的影響分析
http://m.lvepin.com/power-art/80015452
拆裝分析IGBT模塊
http://m.lvepin.com/cp-art/80020000
使用和設計IGBT新方法
http://m.lvepin.com/cp-art/80019998
SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
http://m.lvepin.com/power-art/80020702
[page]
SiC BJT的特性：
1）有史以來最高效的1200V功率轉換開關---最低的總損耗，包括開關、傳導及驅動器損耗。所有1200V器件中最低的開關損耗（任意RON條件下）；
2）簡單直接的驅動----常關功能降低了風險和復雜程度，并減少了限制性能的設計。穩定的基極輸入，對過壓/欠壓峰值不敏感；
3）強健且可靠---額定工作溫度高：Tj=175°C。由于RON具有正溫度系數，增益具有負溫度系數，因此易于并聯。穩定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。
圖3：飛兆SiC BJT可靠性與耐用性
飛兆半導體還開發了即插即用的分立式驅動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關損耗和增強可靠性的條件下提高開關速度，還使得設計人員能夠在實際應用中輕松實施SiC技術。飛兆半導體為縮短設計 時間、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持；參考設計有助于開發出符合特定應用需求的驅 動器電路板。
圖4：飛兆SiC BJT的目標應用
飛兆半導體的SiC特性：
飛兆半導體的SiC特性包括：1）經過優化的半標準化自定義技術解決方案，可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術組合；2）憑借功能集成和設計支 持資源簡化工程設計難題的先進技術，可在節約工程設計時間的同時最大限度地減少元器件數量；3）具有尺寸、成本和功率優勢的較小型先進封裝集成了領先的器 件技術，可滿足器件制造商和芯片組供應商的需求。
封裝和報價信息（訂購1,000個，美元）
飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現在起即可獲取工程設計樣本。
相關閱讀：
功率開關對電源效率的影響分析
http://m.lvepin.com/power-art/80015452
拆裝分析IGBT模塊
http://m.lvepin.com/cp-art/80020000
使用和設計IGBT新方法
http://m.lvepin.com/cp-art/80019998
SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
http://m.lvepin.com/power-art/80020702
