產(chǎn)品特性：
- 低達(dá)50% 的RDS(ON)
- 出色的品質(zhì)因數(shù)
- 采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝
- 內(nèi)置增強(qiáng)型軟體二極管，可減小開關(guān)噪聲
- 以太網(wǎng)、刀片服務(wù)器和電信應(yīng)用等
FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性。相比柵級(jí)電荷相同的現(xiàn)有解決方案，這一專有工藝技術(shù)提供了業(yè)界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以減小導(dǎo)通損耗，而不會(huì)受到較高柵級(jí)電荷的影響。以太網(wǎng)、刀片服務(wù)器和電信應(yīng)用正逐漸從12V轉(zhuǎn)向48V電源，對(duì)于優(yōu)化開關(guān)效率的需求變得越來越重要。
PowerTrench MOSFET 內(nèi)置增強(qiáng)型軟體 (soft-body) 二極管，可以減小開關(guān)噪聲并降低應(yīng)用的EMI 敏感性。這項(xiàng)功能可以節(jié)省線路板空間和減少組件數(shù)目，而許多替代解決方案卻需要加入一個(gè)緩沖器網(wǎng)絡(luò)才能減小開關(guān)噪聲尖峰。
FDMS86101是飛兆半導(dǎo)體全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一員，能夠滿足當(dāng)今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實(shí)現(xiàn)更高的能效。飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG)，從而獲得出色的開關(guān)性能和熱效率。
單價(jià) (訂購(gòu)1000個(gè))： 1.55美元
供貨：現(xiàn)提供樣品
交貨期：8至10周
