【導讀】在AI算力爆發式增長的洪流中，從臺積電WMCM技術的量產倒計時，到英特爾EMIB與玻璃基板的強強聯合，再到三星全產業鏈的加速商用，國際巨頭正以前所未有的速度重構高端封裝格局。與此同時，長電科技、通富微電等本土領軍企業亦在CPO光電合封與大尺寸FCBGA領域實現關鍵突圍，掀起國產替代的新浪潮。這一年，先進封裝不再僅僅是芯片制造的“后道工序”，而是決定AI、HPC及自動駕駛未來競爭力的戰略高地，一場關于技術迭代與產能擴張的“快馬奔騰”之勢已然全面形成。
臺積電、英特爾、三星領跑爭霸
在先進封裝賽道，國際龍頭企業憑借技術積累與資金優勢，率先開啟規模化布局，聚焦高端技術突破與產能落地。
01.臺積電：WMCM量產在即
作為先進封裝領域的領跑者，臺積電持續加大投入，核心聚焦WMCM封裝技術的量產落地與產能擴張。
據悉，臺積電的WMCM（晶圓級多芯片模組）封裝技術已進入量產倒計時，該技術是在CoWoS基礎上的終極演化，核心創新在于以重布線層（RDL）替代傳統Interposer中介層，可將內存與CPU、GPU、NPU集成于同一晶圓，極大縮短信號傳輸路徑，顯著提升互連密度與散熱性能，將適配蘋果iPhone 18搭載的A20系列芯片，配合2nm制程實現性能躍升。
產能布局方面，臺積電計劃在嘉義AP7工廠新建WMCM生產線，目標2026年底實現月產6萬片晶圓，2027年產能將進一步翻倍至12萬片；同時升級龍潭AP3工廠現有的InFO設備，完善產能矩陣。
02.英特爾：EMIB技術升級
根據TrendForce集邦咨詢研究，隨著云端服務業者（CSP）加速自研ASIC，為整合更多復雜功能的芯片，對封裝面積的需求不斷擴大，已有CSP開始考量轉向Intel（英特爾）的EMIB技術。
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在2026年NEPCON日本電子展上，英特爾展示了結合EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）與玻璃基板的最新封裝樣品，進一步優化芯片互連性能，適配高端AI芯片的需求。
EMIB擁有數項優勢：首先是結構簡化，EMIB舍棄昂貴且大面積的中介層，直接利用內嵌于載板的硅橋（Bridge）實現芯片互連，簡化整體結構，相對于CoWoS良率更高。其次是熱膨脹系數（Coefficient of Thermal Expansion,CTE）問題較小，由于EMIB只在芯片邊緣嵌硅橋，整體硅比例低，因此硅與基板的接觸區域少，導致熱膨脹系數不匹配的問題較小，較不容易產生封裝翹曲，可靠度面臨挑戰的情況也較少。
Intel耕耘EMIB先進封裝技術多年，已應用至自家Server CPU平臺Sapphire Rapids和Granite Rapids等。
合作與產能方面，英特爾與安靠攜手布局韓國仁川EMIB產線，承接英特爾及外部客戶訂單，緩解先進封裝產能短缺壓力。
據英特爾首席財務官透露，先進封裝的訂單預計將擴大到10億美元以上，2026年EMIB有望進入主流產品，成為英特爾代工業務扭虧為盈的重要支撐。
03.三星：玻璃基板加速商用
三星集團協同旗下子公司，在2026年初加快先進封裝領域的布局，重點推進玻璃基板商用化與散熱技術升級，構建全產業鏈協同優勢。
三星電機正加速半導體玻璃基板的商用化進程，已對組織架構進行調整，將半導體玻璃基板業務從先進技術開發部門轉移至新成立的商業化部門，整合相關人員，全力推進規?；a。
目前，三星電機已與多家半導體客戶合作開展樣品開發，同時與日本住友化學集團建立戰略合作伙伴關系，加速“玻璃芯”這一核心組件的生產與供應，助力玻璃基板量產落地。
玻璃基板相比傳統有機基板，具有翹曲度小、可無縫集成微電路等優勢，是下一代先進封裝的核心材料，深受三星電子、英特爾、博通等行業巨頭的關注與布局。
與此同時，三星在芯片散熱領域持續突破，其Exynos 2600芯片搭載HPB散熱技術，配合先進封裝工藝，有效解決多芯片集成后的散熱難題，進一步提升芯片性能穩定性，適配AI與高端移動終端的需求。
長電、通富等本土廠商蓄力突圍
本土封測企業如長電科技、通富微電等龍頭企業憑借持續的技術研發與資金投入，在先進封裝領域實現關鍵突破，借助AI算力爆發的機遇，加速國產替代進程，成為產業增長的重要新生力量。
01.長電科技：樣品交付實現突破
長電科技作為國內封測龍頭，在先進封裝領域持續深耕，近期迎來技術落地的關鍵節點。
今年1月21日，長電科技宣布公司在光電合封（Co-packaged Optics，CPO）技術領域取得重要進展。其基于XDFOI?多維異質異構先進封裝工藝平臺的硅光引擎產品已完成客戶樣品交付，并在客戶端順利通過測試。
CPO通過先進封裝技術實現光電器件與芯片的微系統集成，為下一代高性能計算系統提供了更緊湊、更高效的實現路徑。
02.通富微電：定增擴產加碼
通富微電則通過定增募資、技術研發雙重發力，在2026年初加快先進封裝領域的布局，聚焦汽車、存儲、晶圓級封測、HPC等核心賽道。
公司宣布定增不超過44億元，資金將投向汽車/存儲/晶圓級封測/HPC相關領域，進一步擴大先進封裝產能，完善產能布局，搶抓AI與汽車電子帶來的市場機遇。
技術進展方面，通富微電在業績說明會及投資者互動中披露，大尺寸FCBGA封裝技術取得顯著進展，超大尺寸FCBGA已進入考核階段，有望逐步實現量產。
同時，CPO（共封裝光學）技術完成初步可靠性驗證，該技術作為AI芯片高速互連的核心方案，可大幅提升芯片傳輸效率、降低功耗，適配高端AI算力需求。
AI算力驅動下，先進封裝快馬奔騰
綜合全球大廠的布局動態來看，AI算力驅動下2026年將成為先進封裝產業爆發的關鍵一年，產業也將呈現兩大趨勢：
首先，技術迭代持續加速，WMCM、EMIB、玻璃基板、混合鍵合等高端技術逐步走向規?；慨a，推動封裝工藝向更高集成度、更高傳輸效率、更低功耗升級。
其次，產能持續擴張，全球主要企業紛紛加碼先進封裝產能，全球高端封裝產能將實現大幅增長，緩解產能短缺壓力。
AI算力的爆發式需求已為先進封裝產業注入強勁動力，全球大廠的密集布局，正推動產業進入“快馬奔騰”的發展階段。
對于國際龍頭而言，技術與產能的雙重優勢將助力其持續領跑；對于本土企業而言，借助國產替代的東風，依托技術突破與產能擴張，有望實現跨越式發展，逐步提升全球市場份額。
2026年，先進封裝不僅將成為半導體產業的核心增長引擎，更將深刻影響AI、HPC、自動駕駛等下游產業的發展格局，開啟后摩爾時代的產業新征程。
總結
WMCM、EMIB、玻璃基板及混合鍵合等前沿技術正從實驗室快速走向規?；慨a，推動芯片系統向更高集成度、更低功耗與更優散熱性能演進。國際龍頭憑借深厚的技術積淀與龐大的產能規劃持續領跑，而中國本土廠商則依托技術突破與資本助力，在細分賽道上加速縮小差距，構建起多元化的產業生態。
