【導(dǎo)讀】SPHBM4在沿用標(biāo)準(zhǔn)HBM4 DRAM核心層、保障容量擴(kuò)展能力的基礎(chǔ)上，通過(guò)接口基礎(chǔ)裸片的創(chuàng)新性設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵突破——I/O數(shù)據(jù)引腳數(shù)量銳減至標(biāo)準(zhǔn)HBM4的四分之一。依托有機(jī)基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術(shù)的協(xié)同作用，這款新型內(nèi)存不僅適配更低凸點(diǎn)間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內(nèi)存堆棧數(shù)量、拓展系統(tǒng)總?cè)萘块_(kāi)辟了新路徑，將對(duì)高性能計(jì)算存儲(chǔ)領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
12 月 12 日消息，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 內(nèi)存規(guī)范。這里的 "SP" 是 "Standard Package"（標(biāo)準(zhǔn)封裝）的首字母簡(jiǎn)寫(xiě)。
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JEDEC 接近完成 SPHBM4 規(guī)范：I/O 引腳數(shù)量?jī)H有標(biāo)準(zhǔn) HBM4 內(nèi)存的 1/4
SPHBM4 使用與標(biāo)準(zhǔn) HBM4 相同的 DRAM 核心層，兩者在容量擴(kuò)展上沒(méi)有差異。區(qū)別在于，SPHBM4 在接口基礎(chǔ)裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的設(shè)計(jì)，可安裝在標(biāo)準(zhǔn)有機(jī)基板而不是硅基板上。
此外，標(biāo)準(zhǔn) HBM4 內(nèi)存擁有 2048 個(gè) I/O 數(shù)據(jù)引腳，而在 SPHBM4 上這一數(shù)量將降低到 512 個(gè)。為實(shí)現(xiàn)相當(dāng)?shù)目倲?shù)據(jù)傳輸速率，SPHBM4 將具有更高的工作頻率并采用 4:1 串行化技術(shù)。這也是為了配合有機(jī)基板支持的凸點(diǎn)間距密度更低的材料特性。
SPHBM4 使用有機(jī)基板布線的一大好處是在 SoC 和 HBM 內(nèi)存堆棧間允許更長(zhǎng)的線徑，這有利于提升單一封裝中集成的堆棧數(shù)量，從而進(jìn)一步提高系統(tǒng)內(nèi)存總?cè)萘俊?/p>
SPHBM4內(nèi)存規(guī)范的臨近完成，無(wú)疑是HBM技術(shù)發(fā)展歷程中的一次重要革新。它并非對(duì)標(biāo)準(zhǔn)HBM4的顛覆，而是通過(guò)封裝與接口層面的優(yōu)化，在保持核心性能與容量潛力的同時(shí)，有效降低了技術(shù)應(yīng)用門(mén)檻與硬件適配難度。有機(jī)基板的采用與引腳數(shù)量的精簡(jiǎn)，不僅解決了傳統(tǒng)硅基板帶來(lái)的限制，更以靈活的布線特性為內(nèi)存容量的進(jìn)一步突破提供了可能。
