【導讀】集成電路技術取得長足發展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能?，F在的趨勢傾向采用CMOS功率放大器，這有可能使它同發射器的其余部分集成在同一個芯片上并降低系統成本，但是，這樣做在效率、熱特性和隔離方面仍存在一些挑戰。
一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發射器。但是，隨著對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉換接收器和發射器架構變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術取得長足發展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。
一個典型的蜂窩收發器包括RF前端、混合信號部分和實際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF) 和直接采樣。直接轉換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減輕這類干擾，但鏡像抑制卻是一個關鍵性挑戰。RF的直接采樣則存在一些固有缺陷，如低頻噪音、寬帶信號的交疊以及動態范圍需求。
圖1：蜂窩收發器
在上述所有架構中，關鍵的挑戰是集成模擬和數字功能。一旦信號下變換為直流或極低中頻，不希望的干擾信號會伴隨有用信號產生，而且其強度明顯高于有用信號。對這種混合信號進行數字化處理需要一個高動態范圍的A/D轉換器，該轉換器必須具有出色的噪音和無雜散動態范圍性能。以GSM通信為例，偏移載波 3MHz處的干擾信號比有用信號高76dB，而偏移600KHz處的干擾信號比有用信號高56dB。這確定了A/D轉換器的上限。
此外，在參考靈敏度水平，A/D輸入端的有用信號可能只有1mV(-60dBV)。為了不降低噪音指數性能，量化噪音的基底必須足夠低，對1mV信號要求是在-80dBV。另一方面，CDMA和W-CDMA具有更低的信噪比要求，所以可容忍的量化噪音基底范圍相對較寬。
高動態范圍的Σ-Δ轉換器可以從連續時間轉換器到離散采樣時間轉換器等不同類型的器件中進行選擇。連續時間A/D轉換器的優勢是提供了抗交疊濾波器，它可以嵌入作為轉換器的一部分。而離散時間轉換器則需要在轉換器前放置一個抗交疊濾波器，以消除頻譜鏡像。
調制器的階數是影響動態范圍的另一個設計參數。高階調制器可以增加動態范圍，但會導致潛在的穩定性問題。單位量化器與多位量化器之比也會影響動態范圍特性。每個附加位可以提供6dB的動態范圍，但這個拓撲結構需要在反饋通道中進行不匹配修整，以獲得所需的動態范圍。
直接轉換到直流的架構受制于直流偏移和1/f噪音問題。其它的蜂窩收發器架構包括極低IF和直接采樣。
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在天線后端，盡早進行數字化有助于獲得魯棒設計和更低的成本。模擬元件的寬容差要求可被免除，而數字模塊可以按數字工藝縮小幾何尺寸，從而減小芯片體積和相應成本。這還有助于走向真正的軟件無線電架構，其中A/D和數字后端模塊可以自動適應CDMA、W-CDMA和GSM等標準。在選擇架構時必須考慮多模無線電新近提出的一些要求，如系統交接時W-CDMA和GSM要同時工作、為了提高容量要采用多樣性接收以及藍牙功能等。多個標準的同時工作將不允許功能模塊的復用，因而有可能增加裸片的尺寸和功耗。
高動態范圍A/D靠一個高速采樣時鐘提供時鐘信號，所以在設計和布局階段必須仔細考慮基底噪音及RF前端的耦合噪聲。來自RF采樣時鐘諧波的干擾如果處在通道帶寬之內的話，可能會降低接收器的性能。一旦信號實現了數字化，一個公共的硬件平臺可用來提取期望信號，同時阻止干擾信號。幾項射頻功能，如直流偏移抵消、自動增益控制和頻率偏移校正等，在實際的數據解調之前可以作為射頻的一部分被執行。這減輕了對DSP指令運算速度方面的要求，同時使無線電控制方式更加靈活。
發射器架構
用于多個標準的發射器架構包括直接上變頻、轉換環、利用鎖相環的調制以及極環。發展趨勢是進一步數字化以降低總發射器鏈路中的模擬含量。關鍵的挑戰包括漏電流、動態范圍要求以及成本。采用Σ-Δ調制器的鎖相環調制技術承諾可以實現低功耗，是一種更簡單的架構方法。
對于CDMA和W-CDMA等系統，AM和PM元件的分離是必要的。這引出了極環架構，它正取得更廣泛的應用。但將極環架構用于寬帶系統仍存在困難，在寬帶系統中AM和PM元件的校準以及頻譜失真的影響是非常關鍵的。
盡管直接調制方法具有兼容多種標準的優勢，但在滿足噪音基底需求方面仍存在挑戰。多模手機需要幾個大體積的SAW濾波器來衰減接收頻帶的噪音。
為了減輕對重構濾波器的要求，發射器端進行的信號數字化可以包括I(同相)和Q(正交)過采樣D/A轉換器。由于發射器中沒有干擾，這在一定程度上簡化了轉換器的設計。在發射器鏈路設計中，仍需要考慮能夠充分滿足頻譜屏蔽要求的動態范圍。
發射器鏈路的最后一級是功率放大器，在某些系統中最大的發射輸出功率接近3瓦。在這個功率下保持高效率是至關重要的。傳統上，功率放大器一直采用GaAs或InGaP進行設計。
總結
近來的趨勢傾向采用CMOS功率放大器，這有可能使它同發射器的其余部分集成在同一個芯片上并降低系統成本。但是，這樣做在效率、熱特性和隔離方面仍存在一些挑戰。
