如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
文章總結了在IPOSIM中Rthha參數，在兩電平和三電平應用中的定義與設置，以及一些常見的問題，期望對大家如何正確選取Rthha進行準確的IPOSIM仿真有所幫助。詳細閱讀>>
干貨
當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值。可以理解為熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質或介質間的傳熱能力的大小，表明了 1W熱量所引起的 溫升大小，單位為 K/W或℃/W。可以用一個簡單的類比來解釋熱阻的意義，換熱量相當于電流，溫差相當于電壓，則熱阻相當于電阻。
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放大器參數的性能通常會受溫度影響，而溫度的變化來源包括環境溫度波動，以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態功耗、輸出級晶體管功耗，本篇將討論二者與熱阻參數對溫度影響的評估方法。詳細閱讀>>
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實際的應用中，DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件，都會在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮，然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上，加強散熱。理論上，PCB板銅皮鋪的面積越大，總熱阻就越低，器件的溫升就越低。詳細閱讀>>
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功率MOSFET的結溫影響器件許多工作參數及使用壽命，數據表中提供了一些基本的數據來評估電路中功率MOSFET的結溫。本文主要來說明MOSFET的穩態和動態熱阻的測量方法，以及它們的限制條件。詳細閱讀>>
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LED應用于照明除了節能外,長壽命也是其十分重要的優勢。目前由于LED熱性能原因,LED及其燈具不能達到理想的使用壽命;LED在工作狀態時的結溫直接關系到其壽命和光效;熱阻則直接影響LED在同等使用條件下LED的結溫;LED燈具的導熱系統設計是否合理也直接影響燈具的壽命。因此功率型LED及其燈具的熱性能測試,對于LED的生產和應用研發都有十分直接的意義。詳細閱讀>>
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圖1為目前高功率LED封裝使用的結構， LED芯片會先封裝在導熱基板上，再打金線及封膠，這LED封裝結構體具備輕巧，高熱導及電路簡單等優點，可應用在戶外及室內照明。基板的選擇中，氧化鋁 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在應用的材料，其中氧化鋁基板因是絕緣體，必須有傳導熱設計，藉由電鍍增厚銅層達75um；而硅是優良導熱體，但絕緣性不良，必須在表面做絕緣處理。詳細閱讀>>
基礎知識
隨著對更小，更快和更高功率器件的持續工業趨勢，熱管理變得越來越重要。不僅設備趨向于小型化，而且安裝在其上的電路板也在縮小。將器件單元盡可能靠近地放置在更小的板上有助于降低整個系統尺寸和成本，并提高電氣性能。這些改善當然很重要，但從熱的角度來看，在減小尺寸的同時提高功率會帶來更多的散熱挑戰。正是這種"功率密度"的提高推動了業界對熱管理的高度重視。
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